글로벌 SiC-SBD 시장 성장 전망 2025-2031 : 시장규모는 연평균 25.1% 성장 예측

글로벌 SiC-SBD 시장 규모는 2025년 7억 3,400만 달러에서 2031년 28억 1,300만 달러로 성장할 것으로 예상되며, 2025년부터 2031년까지 연평균 복합 성장률(CAGR) 25.1%를 기록할 것으로 전망됩니다.
본 보고서에서는 최근 미국의 관세 조치와 전 세계 각국의 대응 정책이 시장 경쟁력, 지역별 경제 성과 및 공급망 구성에 미치는 영향을 종합적으로 평가할 예정이다.
SiC(실리콘 카바이드)는 광대역 갭 반도체이다. 아래 표에서 볼 수 있듯이 Si(실리콘)에 비해 높은 밴드갭, 높은 전기적 파괴 전계, 높은 포화 속도 등의 특성을 지닌다.
일반 구조의 SBD에 역편향을 가하면, 금속-반도체 계면으로부터 고갈층이 확장됩니다. 이때의 전기장 분포는 그림과 같으며, 금속-반도체 계면에서 최대값을 보입니다. 파괴 전기장은 이론적 최대 전기장 값이며, 내전압은 고갈층의 폭과 전기장으로 표시된 삼각형의 면적에 해당합니다.
SiC의 파괴 전계는 Si의 약 10배이므로 높은 내전압을 가진 SiC SBD를 구현할 수 있습니다.
자동차 시장이 최대 시장으로 65% 이상의 점유율을 차지하며, 주로 OBC(온보드 충전기), DC/DC 컨버터 등에 사용됩니다.
글로벌 신에너지 차량 시장은 지속적으로 급성장하고 있습니다. 2023년 전 세계 신에너지 차량 총 판매량은 1,465만 대를 기록하며 전년 대비 35.4% 증가했습니다. 이 중 중국 신에너지 차량 판매량은 949만 5천 대로 전 세계 판매량의 64.8%를 차지했습니다. 중국은 신에너지 차량 생산 및 판매에서 8년 연속 세계 1위를 유지하고 있습니다. 2023년 미국과 유럽의 신에너지차 판매량은 각각 294만 대, 146만 대로 전년 대비 각각 18.3%, 48.0% 증가했습니다.
현재 SiC 쇼트키 다이오드 시장은 STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed, Rohm, onsemi, San’an Optoelectronics 등 소수의 제조업체가 주도하고 있습니다.
LP Information, Inc. (LPI)의 최신 연구 보고서인 “SiC-SBD 산업 전망”은 과거 판매량을 살펴보고 2024년 전 세계 SiC-SBD 총 판매량을 검토하며, 2025년부터 2031년까지의 예상 SiC-SBD 판매량을 지역 및 시장 부문별로 종합적으로 분석합니다. 이 보고서는 SiC-SBD 매출을 지역, 시장 부문 및 하위 부문별로 세분화하여 전 세계 SiC-SBD 산업에 대한 상세한 분석을 백만 달러 단위로 제공합니다.
본 인사이트 보고서는 글로벌 SiC-SBD 환경에 대한 포괄적 분석을 제공하며, 제품 세분화, 기업 설립, 매출 및 시장 점유율, 최신 개발 동향, M&A 활동과 관련된 주요 트렌드를 강조합니다. 또한 가속화되는 글로벌 SiC-SBD 시장에서 선도적 글로벌 기업들의 독보적 위치를 이해하기 위해, SiC-SBD 포트폴리오 및 역량, 시장 진입 전략, 시장 포지셔닝, 지리적 진출 현황에 초점을 맞춘 전략 분석을 포함합니다.
본 인사이트 리포트는 SiC-SBD의 글로벌 전망을 형성하는 주요 시장 동향, 추진 요인 및 영향 요인을 평가하고, 유형별, 응용 분야별, 지역별, 시장 규모별로 예측을 세분화하여 새롭게 부상하는 기회 영역을 부각합니다. 수백 건의 상향식 정성적·정량적 시장 입력을 기반으로 한 투명한 방법론을 통해, 본 연구 예측은 글로벌 SiC-SBD 시장의 현재 상태와 미래 궤적에 대한 매우 세밀한 관점을 제공합니다.
본 보고서는 제품 유형, 응용 분야, 주요 제조업체 및 주요 지역/국가별 SiC-SBD 시장의 포괄적 개요, 시장 점유율 및 성장 기회를 제시합니다.

유형별 세분화:
650V SiC SBD
1200V SiC SBD
기타

응용 분야별 세분화:
자동차 및 EV/HEV
전기차 충전
산업용 모터/드라이브
태양광, 에너지 저장, 풍력 발전
UPS, 데이터 센터 및 서버
철도 운송
기타

본 보고서는 또한 지역별로 시장을 구분합니다:
아메리카
미국
캐나다
멕시코
브라질
아시아태평양
중국
일본
한국
동남아시아
인도
호주
유럽
독일
프랑스
영국
이탈리아
러시아
중동 및 아프리카
이집트
남아프리카 공화국
이스라엘
터키
GCC 국가들

아래에 소개된 기업들은 주요 전문가들로부터 수집한 정보와 해당 기업의 커버리지, 제품 포트폴리오, 시장 침투도를 분석하여 선정되었습니다.
STMicroelectronics
Infineon
Wolfspeed
Rohm
onsemi
Microchip (Microsemi)
Fuji Electric
Navitas (GeneSiC)
Toshiba
Qorvo (UnitedSiC)
San’an Optoelectronics
Littelfuse (IXYS)
CETC 55
위엔 반도체
베이직 반도체
세미큐
다이오즈 인코퍼레이티드
케이이씨 코퍼레이션
판짓 그룹
넥스페리아
비샤이 인터테크놀로지
주저우 CRRC 타임스 일렉트릭
차이나 리소스 마이크로일렉트로닉스 리미티드
양저우 양지에 일렉트로닉 테크놀로지
창저우 갤럭시 센추리 마이크로일렉트로닉스
시소이드
에스케이 파워테크

본 보고서에서 다루는 주요 질문
글로벌 SiC-SBD 시장의 향후 10년간 전망은 어떠한가?
글로벌 및 지역별 SiC-SBD 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇인가?
시장 및 지역별로 가장 빠른 성장을 보일 기술은 무엇인가?
SiC-SBD 시장 기회는 최종 시장 규모에 따라 어떻게 달라지는가?
SiC-SBD는 유형별, 응용 분야별로 어떻게 구분되는가?

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글로벌 SiC-SBD 시장 성장 전망 2025-2031 : 시장규모는 연평균 25.1% 성장 예측

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SiC-SBD(실리콘 카바이드 슈트로터 다이오드)는 넓은 밴드갭을 가진 반도체 재료인 실리콘 카바이드(SiC)를 이용하여 제작된 다이오드의 일종입니다. 이 소자는 주로 고전압 및 고온의 환경에서 동작하도록 설계되었으며, 기존의 실리콘 다이오드보다 뛰어난 전기적 성능과 열적 안정성을 제공합니다.

SiC-SBD는 기본적으로 다이오드의 특성을 갖추고 있으며, 특히 정류 기능을 수행하는 전자 소자입니다. 전류가 특정 방향으로만 흐를 수 있도록 하여, 전력을 효율적으로 제어하고 변환할 수 있습니다. 이러한 특성 덕분에 SiC-SBD는 전력 전자기기와 같은 다양한 산업에서 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다. SiC의 높은 전기 전도도와 열 전도도는 소자의 효율성을 더욱 향상시키며, 고주파 수동 소자와 쿨링 시스템의 성능을 개선하는 데 기여합니다.

SiC-SBD의 종류에는 여러 형태가 있으며, 일반적으로는 n형 및 p형 재료를 사용하여 다이오드를 구성합니다. 이들 다이오드는 다양한 전압 범위와 전류 용량으로 제공되며, 응용 분야에 따라 다양한 디자인과 규격으로 제작됩니다. 고전력이 필요한 시스템에서 필요한 높은 전압 견딜 수 있는 SiC-SBD는 오늘날의 발전된 전력 전자 시스템에서 매우 중요한 소자로 인식되고 있습니다.

이와 같은 SiC-SBD는 풍력 발전기, 태양광 인버터, 전기차 충전기와 같은 재생 가능 에너지 시스템에서 널리 사용되며, 데이터 센터의 전원 관리 시스템 및 산업 자동화 장비에서도 그 쓰임새가 증가하고 있습니다. 더욱이, 전력 변환 효율성이 중요한 의료 기기와 같은 고급 전력 시스템에서도 그 활용도가 확대되고 있습니다.

기술적으로는, SiC-SBD는 다이오드의 성능을 높이기 위해 다양한 기술적 접근을 활용하고 있습니다. 예를 들어, 고온 조건에서의 안정성을 높이기 위한 열 제어 기술, 고속 스위칭 특성을 개선하는 기술, 그리고 새로운 설계 및 재료를 통한 성능 향상 기술 등이 있습니다. 이러한 혁신적인 기술들은 SiC-SBD가 미래의 전력 전자 시스템에서 중요한 역할을 할 수 있도록 만들어 주고 있습니다.

결론적으로, SiC-SBD는 고효율, 고전압, 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 반도체 소자로, 현대의 많은 전력 응용 분야에서 필수적인 부품으로 자리 잡고 있습니다. 이를 통해 에너지 절약과 효율적인 전력 관리가 가능해지며, 지속 가능한 미래를 위한 한 걸음 더 나아갈 수 있게 합니다.